三星展示 40Gbps GDDR7 显存：3GB（24Gb）容量，12 纳米 DRAM 制程工艺

12 月 5 日消息，据《韩国时报》前天报道，三星在首尔举行的 2025 年度韩国科技节上展示了 40Gbps GDDR7 显存，其容量为 3GB（24Gb）。

据介绍，这款显存获得了“总统级表彰”，采用三星 12nm DRAM 工艺制造，相当于 10nm 级别。

值得注意的是，三星不只在生产 40Gbps 的 3GB GDDR7 显存，此前曾有消息称这家公司正在量产 28Gbps 的 3GB 模组，很有可能被英伟达用于即将推出的 RTX 50 系显卡 Super 中期升级款。

虽然英伟达没有选用速度最快的显存这件事看起来有点奇怪，但实际上英伟达这样的厂商会尽量选择量产的成熟方案，因此处于样品阶段的新品无法支撑新品上市，必须使用稳定库存的方案才能保障供应。

三星的对手 SK 海力士同样也在酝酿新品，这家公司计划在 ISSCC 2026（注：国际固态电路会议）上展示其高速 DRAM 产品阵容，当中包括一款 24Gb、速率可达 28Gbps 的 GDDR7 显存，有消息称这款显存将采用对称双通道设计，可突破大众对 GDDR7 32–37 Gbps 的常规预期。