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55.61MB · 2025-09-28
随着MicroLED产业迈入量产,业界对于晶圆良率和成本的要求不断提升。而大量的LED芯粒后道失效问题均源于最初的衬底表面缺陷或外延层生长不良。特别是随着芯粒尺寸越来越小,甚至降至5μm以下(如AR微显示应用),其对于外延层缺陷的敏感度越来越高,且存在多种类型的亚表面晶体缺陷,这些缺陷采用传统检测手段无法检出。
壹倍推出的Micro-LED衬底及外延专用检测设备采用显微光致发光成像、共聚焦微分干涉成像及高分辨暗场成像及宽光谱PL成像技术,实现透明样品的无接触、非破坏性和超快速的缺陷/亚表面缺陷检出,提供不同维度检测的缺陷Mapping、外延与器件叠图Mapping与分区混Bin良率统计结果。
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